海力士半导体：采用 EUV 技术的第 4 代 10nm 级 DRAM 全面量产

　　12日，海力士半导体（SK hynix）表示，已于7月初开始量产适用第四代10纳米（1a）级工艺的8Gigabit（Gb） LPDDR4移动端DRAM产品。此次量产的产品是SK海力士首次采用EUV技术进行量产的DRAM。公司预计从下半年开始向智能手机厂商供应适用1a纳米级技术的移动端DRAM。（海力士半导体官网）