DIGITIMES Research观察，逻辑芯片工艺现已达5纳米节点，且量产业者为数有限，台积电虽技术领先，但三星电子(Samsung Electronics)亦积极追赶，除4纳米工艺将在2021年下半推出外，并将在3纳米启用环绕式闸极场效晶体管(Gate-All-Around Field Effect Transistor；GAAFET)技术欲超越台积电，然三星已推迟3纳米工艺至2023年量产，恐使其更难追赶台积电。