业内人士透露，长江存储最近已向一些客户交付了其自主研发的192层3D NAND闪存的样品，预计将在今年年底前正式推出产品。据《电子时报》报道，上述人士表示，推出192层3D NAND闪存芯片，是长江存储的一个里程碑。该公司正努力在技术竞赛中赶上规模更大的韩国和美国同行。(爱集微)