据中国台湾电子时报消息，3D NAND200层堆栈以上赛局加速展开，继存储器大厂美光(Micron)提出业界首家232层堆栈3DNAND Flash将于2022年底前率先量产，近日市场传长江存储将跳过原定192层技术，直接挑战232层NAND，并于2022年底量产。存储器相关业者指出，如此一来，长江存储可望赶上其他NAND大厂如三星电子等。