盛美上海消息，公司今日推出新型化学机械研磨后(Post-CMP)清洗设备。这是公司的第一款Post-CMP清洗设备，用于制造高质量衬底化学机械研磨(CMP)工艺之后的清洗。该清洗设备6英寸和8英寸的配置适用于碳化硅(SiC)衬底制造；8英寸和12英寸配置适用于硅片制造。该设备有湿进干出(WIDO)和干进干出(DIDO)两种配置，并可选配2、4或6个腔体，拥有每小时60片晶圆的最大产能。